第九十七章 国产半导体

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　　CD全称是critical  dimension

　　“其中11年  Intel首先将Finfet技术引入22  nm节点。”

　　“22nm要求  44nm的光刻HP  CD。这个要求在实际工艺中很难实现，太接近38nm极限值了。”

　　“所以intel率先使用double  patterning技术。这一技术把同一层的非常靠近的光刻图案分解到两个掩模(mask)上。分两次曝光实现。”

　　“同理，self-aligned的技术也被引入，三次曝光，四次曝光都成为了可能。”

　　程钢听得满脸问号，内心对Young在半导体领域的造诣之深感到震惊。

　　五十岁的人了对前沿技术信手拈来，能做成IDG的合伙人果然都是狠人。

　　他没有打断Young，因为他对这方面也很感兴趣。

　　“所以就光刻技术而言，分辨率并不是大问题。尤其在self-aligned技术中。deposition淀积可以实现非常好的精度控制，特别是ALD，能实现  atom  on  atom的精确控制。”

　　“既然光刻图案需要被分解到多个mask上，芯片的图案自然不能由着芯片IC设计师随意画了，得遵循光刻的规则。”

　　“花为海思部门有在申海的，有在鹏城的。没一家在弯弯。”

　　“而这种光刻版图的规则毫无疑问是芯片代工厂的最高机密。TSMC不可能透露给客户的。海思只能把逻辑设计交给台积电，台积电再进行制造的优化。”

　　“海思原始设计没办法考虑这些光刻规则。这也是为什么业界一直认为长期竞争中，Intel与三星优势的原因。”

　　“三星很早就把三次，甚至四次曝光（self-aligned）技术引入了nand  flash生产。”

　　“因此当台积电还在22  nm时，三星就开始宣传我们已经有14  甚至  10  nm技术了。大概是13年的时候。”

　　“三星与台积电在芯片代工中是竞争对手。台积电嘴巴上当然不能输。悄悄的放宽了node  CD的定义，也把自己技术从22  nm吹到了14nm。”

　　“这种夸大也延续到了现在，实际上三星跟台积电的7nm只比Intel的14nm强一点，强的有限。”
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